芯片簡(jiǎn)介
SS6811H 為舞臺(tái)燈光和其它電機(jī)一體化應(yīng)用 提供一種雙通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。SS6811H 有 兩路 H 橋驅(qū)動(dòng)，每個(gè) H 橋可提供最大輸出電流 1.6A (在 24V 和 Ta = 25°C 適當(dāng)散熱條件下)，可驅(qū) 動(dòng)兩個(gè)刷式直流電機(jī)，或者一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)，或 者螺線管或者其它感性負(fù)載。 SS6811H 的每一個(gè) H 橋的功率輸出模塊由 N 型功率 MOSFET 組成。
SS6811H 提供了一種低功 耗睡眠模式來(lái)關(guān)斷內(nèi)部電路，以達(dá)到非常低的靜態(tài) 電流。這種睡眠模式通過(guò)設(shè)置 SLEEP 引腳來(lái)實(shí) 現(xiàn)。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過(guò)流保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓 鎖定保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。
SS6811H 提供一種帶有裸露焊盤的 16Pins， 5.0mm * 6.4mm，eTSSOP 封裝，能有效改善散 熱性能，且是無(wú)鉛產(chǎn)品，引腳框架采用 100％無(wú)錫 電鍍。
芯片特點(diǎn)
雙通道 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 –單個(gè)或兩個(gè)有刷直流電機(jī) –一個(gè)步進(jìn)電機(jī)
PWM 控制接口
低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) – 24V，Ta = 25°C 時(shí)可實(shí)現(xiàn) 1.6A 最大驅(qū)動(dòng) 電流 – 24V，Ta= 25°C 時(shí) RDS(on)為 720mΩ（典 型值 HS + LS）
8.2~38V 工作電壓范圍
睡眠模式低電流
內(nèi)置 3.3V 基準(zhǔn)電壓
帶散熱片的表面貼裝封裝
保護(hù)特性 – 過(guò)流保護(hù) (OCP) – 熱關(guān)斷 (TSD) – 欠壓閉鎖 (UVLO)
