芯片簡介
SS6200 是一款經(jīng)過優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動器,可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部元件數(shù)量。具有較寬的工作電壓范圍,可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動電壓以獲得最佳效率。內(nèi)部自適應(yīng)無重疊電路通過防止兩個 MOSFET 同時導(dǎo)通進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于指定閾值電壓時,UVLO 電路可防止故障發(fā)生。
芯片特點(diǎn)
· 驅(qū)動2個 N-MOSFETs
· 高頻工作(高達(dá)1MHz)
· 可以 3.3V 和 5V 的PWM輸入
· 輸出上升時間快
· 內(nèi)部自舉二極管
· 自適應(yīng)穿透保護(hù)
· 欠壓鎖定
· 內(nèi)部熱關(guān)斷
· 小尺寸封裝:SOP8, DFN2x2-8L
· 這些都是 Pb-Free Devices