芯片簡(jiǎn)介
SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器（高邊+ 低邊）集成到 3mm*3mm 8-pins DFN 的封裝中。
與分立元件解決方案相比，SS6208 集成解決 方案大大減少了分立方案的寄生效應(yīng)和板空 間問題。 驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 已針對(duì)半橋應(yīng)用進(jìn)行 了優(yōu)化。高側(cè)或低側(cè) MOSFET 柵極的驅(qū)動(dòng)電 壓可以工作在寬電壓范圍內(nèi)，并且獲得最佳效 率。內(nèi)部自適應(yīng)死區(qū)電路通過防止兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低了開關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動(dòng)作。設(shè)計(jì)中 的 EN 引腳可以使芯片進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長(zhǎng)的電池壽命。
芯片特點(diǎn)
最大額定持續(xù)電流 4A，峰值 8A
自舉式高端驅(qū)動(dòng)器
集成高/低側(cè) MOSFET
高頻操作（最高 1MHz）
PWM 輸入兼容 3.3V 和 5V
內(nèi)部自舉二極管
欠電壓鎖定
熱保護(hù)關(guān)斷
自適應(yīng)防串通保護(hù)
市場(chǎng)應(yīng)用
